Ram это какая память

Что такое оперативная память (ОЗУ) в смартфоне: для чего нужна, на что влияет, как освободить RAM телефона

Explore

Истории

Фото

Лайфхаки

Здоровье

Развлечения

Еда и Дом

Интерьер с твоим характером

Бренд

Коллаборации Galaxy

Cобытия

Истории

Фото

Лайфхаки

Здоровье

Развлечения

Еда и Дом

Интерьер с твоим характером

Бренд

Коллаборации Galaxy

Cобытия

ЛАЙФХАКИ

Объясняем по порядку

06. 04.2022 　 | 　 ~3 мин.

Выбирая телефон, не в последнюю очередь мы обращаем внимание на размер оперативной памяти, или ОЗУ, или RAM. Разбираемся, что такое оперативная память в смартфоне, за что она отвечает и какая нужна.

Что такое ОЗУ в телефоне?

Оперативное запоминающее устройство — цифровое хранилище, в которое загружаются данные приложений, необходимые для их бесперебойной работы здесь и сейчас. Кроме того, ОЗУ использует операционная система смартфона. Выглядит оперативная память как небольшой чип квадратной или прямоугольной формы.

А встроенная память смартфона — это другое?

Да, это уже другой вид памяти. Ее еще называют ПЗУ — постоянное запоминающее устройство. Оно тоже записывает и хранит данные. Разница — в способе хранения.

Встроенная память хранит данные постоянно: сюда устанавливаются приложения, записываются фото и видео, скачиваются файлы. Данные не стираются до тех пор, пока вы сами их не удалите.

Оперативная память, наоборот, хранит данные временно — только те, которые в этот момент нужны для работы системы и активных приложений. Поэтому объем ОЗУ в телефоне всегда меньше, чем ПЗУ. Кроме того, «оперативка» работает быстрее и расходует заряд батареи. При завершении работы приложения данные из оперативной памяти удаляются. То же самое происходит при выключении и перезагрузке смартфона.

За что отвечает оперативная память в телефоне?

Главная функция оперативной памяти — обеспечивать работоспособность и быстродействие смартфона: драйверов, графического чипа, процессора и, как мы уже выяснили, операционной системы и приложений. Когда пользователь запускает приложение, нужные данные загружаются в ОЗУ. Операционная система анализирует их и отправляет команды процессору и графическому чипу — в итоге на экране появляется картинка, и приложение начинает работу. Всё это занимает доли секунды.

А внутренняя память?

Часть встроенной, или флеш-памяти, занимает операционная система — поэтому даже в новом смартфоне свободного места чуть меньше, чем заявлено в характеристиках. Основной объем памяти обычно занимают приложения и файлы: от списка контактов до видеороликов.

Вся оперативная память одинаковая?

Нет, есть разные типы ОЗУ с разной скоростью обработки информации. Чем пропускная способность выше, тем быстрее работают приложения, «тяжелые» игры не «тормозят», и можно выполнять множество задач одновременно.

Сейчас в смартфонах встречаются три типа оперативной памяти:

•ㅤLPDDR3 с пропускной способностью до 2 133 Мбит/с;
•ㅤLPDDR4х — до 4266 Мбит/с;
•ㅤLPDDR5 — до 6200 Мбит/с. Самый быстрый и технологичный тип памяти, который расходует минимум энергии. Такое ОЗУ устанавливают на флагманские смартфоны, например на Samsung Galaxy S22.

На что влияет оперативная память в смартфоне

Если коротко — на скорость работы устройства. ОЗУ отвечает за хранение и обработку всех данных, которые использует устройство в конкретный промежуток времени. Если пользователь открывает браузер и листает ленту, то устройство выделяет определенный объем оперативной памяти на поддержку этой активности. А если, убрав приложение в фоновый режим, запустит игру, то объем используемой оперативной памяти увеличится (правда, при этом браузер будет тратить меньше ОЗУ, чем при активном использовании).

Кроме этого, оперативная память поддерживает работу операционной системы смартфона и установленных приложений, необходимых для его корректной работы. Это означает, что ОЗУ работает непрерывно, поддерживая базовые функции мобильного устройства. Чем больше приложений на смартфоне открыто одновременно, тем больше нагружается оперативная память. И если она будет перегружена сверх меры, устройство может тормозить и даже зависнуть. Чтобы избежать подобного сценария, в смартфоны Samsung встроена интеллектуальная система RAM Plus, которая позволяет устройству выделять на текущие задачи больше оперативной памяти за счет внутреннего накопителя, резервируя часть памяти.

Если резюмировать, от объема оперативной памяти зависит:

•ㅤСколько приложений могут работать одновременно, в том числе в фоновом режиме
•ㅤБыстродействие телефона
•ㅤСкорость загрузки приложений
•ㅤХорошая работа ресурсоемких приложений, например некоторых игр и видеоредакторов.

Сколько «оперативки» нужно смартфону?

У современных смартфонов объем ОЗУ составляет 4–16 Гб. Из них 1,5–2 Гб забирает операционная система и пользовательская оболочка (у Samsung это One UI). Чем больше остается свободной оперативной памяти после загрузки системы, тем лучше работает всё остальное.

Например, почтовый клиент в фоновом режиме загружает в ОЗУ всего 30–50 Мб информации. А вот мессенджер со множеством активных чатов, браузер с большим количеством открытых вкладок, игра со сложной графикой или камера, снимающая видео в качестве 4К, займут до нескольких гигабайт. Если телефон нужен для базовых задач — почта, мобильный банк, соцсети, мессенджеры, — достаточно 4–6 Гб «оперативки». Но для ресурсоемких игр, съемки и обработки контента лучше выбирать устройство помощнее.

Как освободить оперативную память?

Если смартфону не хватает объема оперативной памяти, приложения могут работать медленно и даже принудительно закрываться. Скорость загрузки страниц в браузере в таком случае тоже падает.

Чтобы исправить ситуацию, нужно освободить оперативную память и ускорить работу устройства. Закройте ненужные приложения, в том числе те, которые работают в фоновом режиме. Это можно сделать тремя способами:

1.ㅤВручную закрыть каждое приложение.
2.ㅤРазом закрыть всё ненужное в настройках смартфона. В устройствах Samsung надо выбрать раздел «Оптимизация» и нажать «ОЗУ». Система отключит фоновые приложения и освободит память.
3.ㅤПерезагрузить телефон.

Можно ли увеличить ОЗУ на телефоне?

Да! Дополнительный чип поставить нельзя, зато можно провести расширение ОЗУ виртуально, программными методами. Например, с помощью технологии Samsung RAM Plus. В этом случае под «оперативку» перейдет часть встроенной памяти. Опция включается автоматически при необходимости, ничего настраивать не надо.

Вот список устройств Samsung с технологией RAM Plus:

Galaxy
Samsung Galaxy S	Samsung Galaxy Note	Samsung Galaxy Z	Samsung Galaxy A	Samsung Galaxy M	Samsung Galaxy Tab
Galaxy S22 Galaxy S22+ Galaxy S22 Ultra Galaxy S21 Galaxy S21+ Galaxy S21 Ultra Galaxy S20 Galaxy S20+ Galaxy S20 Ultra Galaxy S10 Galaxy S10 5G Galaxy S10+ Galaxy S10e	Galaxy Note 20 Galaxy Note 20+ Galaxy Note 10 Galaxy Note 10+	Galaxy Z Fold3 Galaxy Z Fold2 Galaxy Z Flip3 Galaxy Z Flip 4G Galaxy Z Flip 5G	Galaxy A72 Galaxy A52 4G Galaxy A52 5G Galaxy A52s Galaxy A32 4G	Galaxy M32 5G	Galaxy Tab S7 FE Galaxy Tab S6

* РЭМ
* РЭМ Плюс
* УАН Юи

ЛАЙФХАКИ
Mobile
Технологии
Galaxy S
Galaxy

Оперативная память (ОЗУ), что это такое? Назначение, использование ОЗУ и основные понятия о DDR SDRAM.

Оперативная память (ОЗУ, RAM — Random Access Memory — eng.) — относительно быстрая энергозависимая память компьютера с произвольным доступом, в которой осуществляются большинство операций обмена данными между устройствами. Является энергозависимой, то есть при отключении питания, все данные на ней стираются.

Оперативная память является хранилищем всех потоков информации, которые необходимо обработать процессору или же они дожидаются в оперативной памяти своей очереди. Все устройства, связывается с оперативной памятью через системную шину, а с ней в свою очередь обмениваются через кэш или же напрямую.

Random Access Memory — память с произвольным (прямым) доступом.

Означает это то, что при необходимости, память может напрямую обратиться к одному, необходимому блоку, не затрагивая при этом остальные. Скорость произвольного доступа не меняется от места нахождения нужной информации, что является огромным плюсом.

Оперативная память, выгодно отличается от энергозависимой памяти, практически нулевым влиянием количества операций чтениязаписи на срок службы и долговечность. При соблюдении всех тонкостей при производстве, оперативная память очень редко выходит из строя. В большинстве случаев, повреждённая память, начинает допускать ошибки, которые приводят к краху системы или нестабильной работе многих устройств компьютера.

Оперативная память может быть как отдельным модулем, который можно менять и добавлять дополнительные (компьютер например), как и отдельным блоком устройства или чипа (как в микроконтроллёрах или простейших SoC).

Использование оперативной памяти.

Современные операционные системы, активно используют оперативную память, для хранения и обработки в ней важных и часто используемых данных. Если бы в электронных устройствах не использовалась оперативная память, то все операции происходили бы гораздо медленней и для считывания с постоянного источника памяти (ПЗУ), требовалось бы значительно больше времени. Да и более менее многопоточная обработка, была бы практически невозможна.

Использование оперативной памяти, позволяет приложениям работать и запускаться быстрее. Данные беспрепятственно могут обрабатываться и ждать своей очереди благодаря адресуемости (все машинные слова имеют свои собственные адреса).

Операционная система Windows 7 к примеру, может хранить в памяти часто используемые файлы, программы и другие данные. Это позволяет при запуске программ не ждать пока они загрузятся с более медленного диска, а сразу начнут выполнение. Потому не стоит пугаться, если диспетчер задач показывает что ваша ОЗУ загружена более чем на 50%. При запуске приложения, требующего больших ресурсов памяти, более старые данные будут вытеснены из неё, в пользу более необходимых.

В большинстве устройств, используется динамическая память с произвольным доступом DRAM (Dynamic Random Access Memory), которая имеет низкую цену, но медленнее статической SRAM (Static Ramdom Access Memory). Более дорогая статическая память, нашла своё применение в быстрой кэш памяти процессоров, видеочипов и контроллёров. Из-за того, что статическая память занимает на кристалле гораздо больше места, чем динамическая, во времена быстрого развития компьютерной периферии и операционных систем, производители пошли по пути большего объёма, а не по пути более высокой скорости, что было более оправдано.

Наиболее популярной и производительной памятью в персональных компьютерах, начиная с 2000-х по праву стала DDR SDRAM.

Что примечательно, нет поддержки обратной совместимости ни для одной из версий. Причина кроется в разных частотах и принципах работы контроллёров памяти для разных версий.

Потому, невозможно вставить к примеру память DDR3 в слот памяти DDR2, благодаря выемке в другом месте.

Последующие версии DDR2 SDRAM и DDR3 SDRAM, получили значительный скачок в росте эффективной частоты. Но реальная прибавка в скорости была только при переходе с DDR1 на DDR2 благодаря сохранению времени задержки на приемлемом уровне, при значительном росте частоты работы. DDR3 память не может похвастаться тем же и при увеличении частоты вдвое, задержки также увеличиваются почти вдвое. Соответственны выигрыша в скорости работы в реальных условиях нет. Но есть существенный плюс от перехода к новым версиям, который всегда действует — это уменьшение энергопотребления и тепловыделения, что благоприятно сказывается на стабильности и возможности разгона. Современные версии DDR3 редко нагреваются более 50 градусов по Цельсию.

Оперативная память (ОЗУ) и постоянное запоминающее устройство (ПЗУ)

Написание статьи

Написание интервью

Основы

АЛУ, канал данных и блок управления

Конвейерная обработка инструкций

Интерфейс ввода/вывода прерывание и режим DMA)

COA GATE Вопросы

Улучшить статью

Сохранить статью

Уровень сложности: Easy
Последнее обновление: 09 Сен, 2022

Читать

Обсудить

Улучшить статью

Сохранить статью

Память является наиболее важным элементом вычислительной системы, поскольку без нее компьютер не может выполнять простые задачи. Память компьютера бывает двух основных типов: первичная память (ОЗУ и ПЗУ) и вторичная память (жесткий диск, компакт-диск и т. д.). Оперативная память (ОЗУ) — это первичная энергозависимая память, а постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) — первичная энергонезависимая память.

Классификация компьютерной памяти

Оперативная память (ОЗУ) —

Она также называется памятью для чтения и записи или основной памятью или основной памятью .
В этой памяти хранятся программы и данные, которые требуются ЦП во время выполнения программы.
Это энергозависимая память, поскольку данные теряются при отключении питания.
Оперативная память подразделяется на два типа: SRAM (статическая оперативная память) и DRAM (динамическая оперативная память) .

Разница между SRAM и DRAM

Только для чтения

Память (ПЗУ)

Хранит важную информацию, необходимую для работы системы, например, программу, необходимую для загрузки компьютера.
Энергонезависимый.
Всегда сохраняет свои данные.
Используется во встроенных системах или там, где программирование не требует изменений.
Используется в калькуляторах и периферийных устройствах. 9ПЗУ 0006
далее подразделяется на четыре типа: M ROM , PROM , EPROM и EEPROM .

Типы постоянной памяти (ПЗУ)

ППЗУ (программируемая постоянная память) – Может программироваться пользователем. После программирования содержащиеся в нем данные и инструкции не могут быть изменены.
EPROM (стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство) — можно перепрограммировать. Чтобы стереть с него данные, подвергните его воздействию ультрафиолета. Чтобы перепрограммировать его, сотрите все предыдущие данные.
EEPROM (электрически стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство) – Данные можно стереть с помощью электрического поля, без использования ультрафиолетового излучения. Мы можем стереть только часть чипа.
MROM (Mask ROM) — Mask ROM — это вид постоянной памяти, которая маскируется во время производства. Как и другие типы ПЗУ, ПЗУ с маской не может позволить пользователю изменять хранящиеся в нем данные. Если это возможно, процесс будет трудным или медленным.

Разница между ОЗУ и ПЗУ

Статьи по теме

Что нового

Мы используем файлы cookie, чтобы обеспечить вам максимальное удобство просмотра нашего веб-сайта. Используя наш сайт, вы подтверждаете, что вы прочитали и поняли наши Политика в отношении файлов cookie и Политика конфиденциальности

Модуль памяти RAM и DRAM

Общие сведения о типах компьютерной памяти RAM и DRAM

Модули DRAM2022-07-01

Что такое внутренняя память и чем она отличается от внешней памяти?

Память компьютера обычно классифицируется как внутренняя или внешняя память.

Внутренняя память , также называемая «основной или основной памятью», относится к памяти, в которой хранятся небольшие объемы данных, к которым можно быстро получить доступ во время работы компьютера.

Внешняя память , также называемая «вторичной памятью», относится к устройству хранения, которое может сохранять или хранить данные на постоянной основе. Это могут быть встроенные или съемные запоминающие устройства. Примеры включают жесткие диски или твердотельные накопители, флэш-накопители USB и компакт-диски.

Какие существуют типы внутренней памяти?

Существует два основных типа внутренней памяти: ПЗУ и ОЗУ.

ROM означает постоянную память. Он энергонезависимый, что означает, что он может сохранять данные даже без питания. Он используется в основном для запуска или загрузки компьютера.

После загрузки операционной системы компьютер использует ОЗУ , что означает оперативную память, в которой временно хранятся данные, пока центральный процессор (ЦП) выполняет другие задачи. Чем больше оперативной памяти на компьютере, тем меньше процессору приходится считывать данные из внешней или вторичной памяти (устройства хранения), что позволяет компьютеру работать быстрее. Оперативная память быстрая, но энергозависимая, что означает, что она не сохранит данные, если нет питания. Поэтому важно сохранить данные на запоминающем устройстве до выключения системы.

Какие существуют типы оперативной памяти?

Существует два основных типа ОЗУ: динамическое ОЗУ (DRAM) и статическое ОЗУ (SRAM).

DRAM (произносится как DEE-RAM) широко используется в качестве основной памяти компьютера. Каждая ячейка памяти DRAM состоит из транзистора и конденсатора в интегральной схеме, а бит данных хранится в конденсаторе. Поскольку транзисторы всегда имеют небольшую утечку, конденсаторы будут медленно разряжаться, что приведет к утечке хранящейся в них информации; следовательно, DRAM необходимо обновлять (с новым электронным зарядом) каждые несколько миллисекунд для сохранения данных.
SRAM (произносится как ES-RAM) состоит из четырех-шести транзисторов. Он хранит данные в памяти до тех пор, пока в систему подается питание, в отличие от DRAM, которую необходимо периодически обновлять. Таким образом, SRAM быстрее, но и дороже, что делает DRAM более распространенной памятью в компьютерных системах.

Каковы распространенные типы DRAM?

Synchronous DRAM (SDRAM) «синхронизирует» скорость памяти с тактовой частотой ЦП, чтобы контроллер памяти знал точный тактовый цикл, когда запрошенные данные будут готовы. Это позволяет ЦП выполнять больше инструкций в данный момент времени. Типичная SDRAM передает данные со скоростью до 133 МГц.
Rambus DRAM (RDRAM) назван в честь компании Rambus, которая его произвела. Он был популярен в начале 2000-х годов и в основном использовался для игровых устройств и видеокарт со скоростью передачи данных до 1 ГГц.
SDRAM с двойной скоростью передачи данных (DDR SDRAM) – это тип синхронной памяти, который почти вдвое увеличивает пропускную способность по сравнению с SDRAM с одинарной скоростью передачи данных (SDR), работающей на той же тактовой частоте, за счет использования метода, называемого "двойной накачкой", который позволяет передавать данных как о переднем, так и о заднем фронте тактового сигнала без какого-либо увеличения тактовой частоты.
На смену
DDR1 SDRAM пришли DDR2, DDR3 и совсем недавно DDR4 SDRAM. Хотя модули работают по одним и тем же принципам, они не имеют обратной совместимости. Каждое поколение обеспечивает более высокую скорость передачи и более высокую производительность. Например, новейшие модули DDR4 обеспечивают высокую скорость передачи данных 2133/2400/2666 и даже 3200 МТ/с.

Рисунок 1. Типы компьютерной памяти.

Какие существуют типы пакетов DRAM?

Однорядный модуль памяти (SIMM)
Модули SIMM широко использовались с конца 1980-х по 1990-е годы и в настоящее время устарели. Обычно они имели 32-битную шину данных и были доступны в двух физических типах — 30- и 72-контактном.
Двухрядный модуль памяти (DIMM)
Текущие модули памяти поставляются в модулях DIMM. «Двойной ряд» относится к контактам с обеих сторон модулей. Изначально модуль DIMM имел 168-контактный разъем, поддерживающий 64-битную шину данных, что в два раза превышает разрядность данных модулей SIMM. Более широкая шина означает, что через модуль DIMM может проходить больше данных, что приводит к повышению общей производительности. Новейшие модули DIMM, основанные на SDRAM с удвоенной скоростью передачи данных (DDR4) четвертого поколения, имеют 288-контактные разъемы для увеличения пропускной способности данных.

Каковы распространенные типы модулей DIMM?

Существует несколько архитектур DIMM. Разные платформы могут поддерживать разные типы памяти, поэтому лучше проверить, какие модули поддерживаются материнской платой. Вот наиболее распространенные стандартные модули DIMM со стандартной длиной 133,35 мм и высотой 30 мм.

Тип DIMM	Описание
Небуферизованные модули DIMM (UDIMM)	Используется в основном на настольных и портативных компьютерах. Они работают быстрее и стоят меньше, но не так стабильны, как регистровая память. Команды поступают непосредственно от контроллера памяти, находящегося в ЦП, к модулю памяти.
Полностью буферизованные модули DIMM (FB-DIMM)	Модули FB-DIMM, которые обычно используются в качестве основной памяти в системах, требующих большой емкости, таких как серверы и рабочие станции, используют чипы расширенного буфера памяти (AMB) для повышения надежности, поддержания целостности сигнала и улучшения методов обнаружения ошибок для уменьшения программных ошибок. Шина AMB разделена на 14-битную шину чтения и 10-битную шину записи. Благодаря выделенной шине чтения/записи операции чтения и записи могут выполняться одновременно, что повышает производительность. Меньшее количество контактов (69 контактов на последовательный канал по сравнению с 240 контактами на параллельных каналах) приводит к меньшей сложности разводки и позволяет создавать платы меньшего размера для компактных систем с малым форм-фактором.
Зарегистрированные модули DIMM (RDIMM)	Также известная как «буферизованная» память, часто используется в серверах и других приложениях, требующих стабильности и надежности. RDIMM имеют встроенные регистры памяти (отсюда и название «зарегистрированные»), расположенные между памятью и контроллером памяти. Контроллер памяти буферизует команды, адресацию и тактовый цикл, направляя инструкции в выделенные регистры памяти вместо прямого доступа к DRAM. В результате инструкции могут выполняться примерно на один такт ЦП дольше, но буферизация снижает нагрузку на контроллер памяти ЦП.
DIMM с уменьшенной нагрузкой (LR-DIMM)	Используйте технологию Isolation Memory Buffer (iMB), которая снижает нагрузку на контроллер памяти за счет буферизации каналов данных и адресов. В отличие от регистра модулей RDIMM, которые буферизуют только команды, адресацию и тактовый цикл, микросхема iMB также буферизует сигналы данных. Чип iMB изолирует всю электрическую нагрузку, включая сигналы данных чипов DRAM на модулях DIMM, от контроллера памяти, поэтому контроллер памяти видит только iMB, а не чипы DRAM. Затем буфер памяти обрабатывает все операции чтения и записи в чипы DRAM, повышая как емкость, так и скорость. (Источник: Изолирующий буфер памяти)

Таблица 1. Распространенные типы модулей DIMM.

Помимо модулей DIMM стандартного размера, существуют ли модули DIMM малого форм-фактора для систем с ограниченным пространством?

Модули DIMM малого размера (SO-DIMM) представляют собой альтернативу модулям DIMM меньшего размера. В то время как стандартные модули DIMM DDR4 имеют длину около 133,35 мм, модули SO-DIMM почти вдвое меньше обычных модулей DIMM и имеют длину 69,6 мм, что делает их идеальными для ультрапортативных устройств. Оба обычно имеют высоту 30 мм, но могут быть доступны в формате очень низкого профиля (VLP) с высотой 20,3 мм или сверхнизкого профиля (ULP) с высотой от 17,8 до 18,2 мм. Другим типом модулей DIMM малого форм-фактора является Mini-RDIMM, длина которого составляет всего 82 мм по сравнению со 133 мм у обычных модулей RDIMM.

ATP DRAM Products

ATP предлагает промышленные модули памяти различной архитектуры, емкости и форм-фактора. Модули ATP DRAM обычно используются в промышленных ПК и встроенных системах. Устойчивые к вибрации, ударам, пыли и другим сложным условиям, модули ATP DRAM хорошо работают даже при самых ресурсоемких рабочих нагрузках и приложениях, а также в различных операционных средах.

Стремясь обеспечить долговечность продуктов, ATP также продолжает предлагать устаревшие модули DRAM в определенных форм-факторах в соответствии с лицензионным соглашением с Micron Technology, Inc. Для получения информации об устаревших продуктах ATP SDRAM посетите сайт Legacy SDRAM.

Чтобы обеспечить высокую надежность, ATP проводит тщательное тестирование и проверку от уровня ИС до уровня модуля и продукта с использованием автоматического испытательного оборудования (ATE) для различных электрических параметров, таких как предельное напряжение, частота сигнала, тактовая частота, синхронизация команд и синхронизация данных в непрерывном режиме. термические циклы. В тесте во время прожига (TDBI) используется специальная мини-термическая камера, в которой модули подвергаются низким и повышенным тепловым испытаниям, чтобы отсеять дефектные компоненты и минимизировать детскую смертность IC, тем самым обеспечивая более высокое качество производства и сокращая фактические сбои в полевых условиях.

В таблице ниже представлены продукты DDR4 DRAM компании ATP.

Тип DIMM	Размер (Д x В мм) / изображение
DDR4 RDIMM ECC	Стандарт: 133,35 x 31,25 Очень низкий профиль (VLP): 133,35 x 18,75
DDR4 UDIMM ECC	133,35 x 31,25
DDR4 SO-DIMM ECC	69,6 x 30
DDR4 Mini-DIMM Небуферизованный ECC	Очень низкий профиль (VLP): 80 x 18,75

Таблица 2. Продукты ATP DDR4 DRAM. (Также доступны версии без ECC.)

В таблице ниже показано сравнение размеров различных типов модулей DRAM.

Тип DIMM	Размер (Д x В мм)
DDR4	Стандарт	133,35 х 31,25
DDR4	VLP (очень низкий профиль)	133,35 х 18,75
DDR3	Стандарт	133,35 х 30
	ВЛП	133,35 x 18,28–18,79
	ULP (сверхнизкий профиль)	133,35 x 17,78–18,28
DDR2	Стандарт	133,35 х 30
DDR2	ВЛП	133,35 x 18,28–18,79
ГДР	Стандарт	133,35 х 30
ГДР	ВЛП	133,35 x 18,28–18,79
SDRAM	Стандарт	133,35 x 25,4–43,18

Таблица 3.

Blender уроки

Категории